El mètode de mesura de semiconductors amb un multímetre digital
Mètode 1 per a la mesura de semiconductors amb multímetres digitals: díodes
La tensió de circuit obert del díode del multímetre digital és d'uns 2,8 V, amb la sonda vermella connectada al positiu i la sonda negra connectada al negatiu. Quan es mesura, el corrent proporcionat és d'aproximadament 1 mA i el valor que es mostra és un valor aproximat de la caiguda de tensió directa del díode, mesurada en mV o V. La caiguda de tensió de conducció directa d'un díode de silici és aproximadament 0. 3-0.8V. La caiguda de tensió de conducció directa del díode de germani és d'aproximadament 0.1-0.3V. I els díodes amb una potència més alta tenen una caiguda de tensió directa més petita. Si el valor mesurat és inferior a 0,1V, indica que el díode està trencat i que les direccions directes i inverses són conductores. Si les direccions directes i inverses estan obertes, indica que la secció PN del díode està oberta. Per als díodes emissors de llum, quan es mesura en la direcció cap endavant, el díode emet llum i la caiguda de tensió del tub és d'uns 1,7 V.
II
Transistor
El transistor té dues seccions PN, la secció emissor (be) i la secció col·lectora (bc), que es poden mesurar mitjançant el mètode de mesura de díodes. En la mesura real, la caiguda de tensió directa i inversa s'ha de mesurar entre cada dos pins, un total de 6 vegades. Entre ells, 4 vegades mostren un circuit obert i només 2 vegades mostren el valor de la caiguda de tensió. En cas contrari, el transistor és defectuós o un transistor especial (com un transistor resistiu, un transistor Darlington, etc., que es pot distingir d'un transistor convencional per model). En dues mesures amb valors numèrics, si la sonda negra o vermella està connectada al mateix pol, aquest pol és el pol base. El valor de mesura més petit és el node col·lector, i el valor de mesura més gran és el node emissor. Com que s'ha determinat el pol base, es pot determinar el col·lector i l'emissor corresponents. Al mateix temps, es pot determinar que: si la sonda negra està connectada al mateix pol, el transistor és de tipus PNP; si la sonda vermella està connectada al mateix pol, el transistor és de tipus NPN; Els tubs de silici tenen una caiguda de pressió d'uns 0.6V, mentre que els tubs de germani tenen una caiguda de pressió d'uns 0.2V.
3, tiristor:
L'ànode, el càtode i l'elèctrode de control del tiristor són circuits oberts, que es poden utilitzar per determinar els pins de l'ànode i determinar si el tiristor està trencat. L'espai entre l'elèctrode de control del tiristor i el càtode també és una secció PN, però hi ha una resistència protectora entre l'elèctrode de control del tiristor i el càtode d'alta potència, i el valor que es mostra durant la mesura és la caiguda de tensió a la resistència.
4, optoacoblador
Un costat de l'optoacoblador és un díode emissor de llum, amb una caiguda de tensió d'aproximadament 1 V durant la mesura. L'altre costat és un transistor, alguns dels quals només condueixen a c i e, i la mesura es talla tant en direcció cap endavant com en sentit invers. Si els tres pins estan sortits, les característiques de mesura són les mateixes que les del transistor superior (majoritàriament transistor NPN). Quan utilitzeu un multímetre per fer que el díode condueixi en la direcció cap endavant, utilitzeu un altre multímetre per mesurar la caiguda de tensió de conducció del transistor c a e, que és d'aproximadament 0,15 V; Desconnecteu el multímetre connectat al díode i el transistor c talla e, indicant que l'optoacoblador és bo
