Identificació i judici de FET mitjançant un multímetre
Transistor d'efecte de camp, abreujat com a FET. Un transistor típic es compon de dues polaritats de portadors de càrrega, és a dir, portadors de càrrega majoritaris i portadors de càrrega minoritaris de polaritat oposada, que participen en la conducció, per això s'anomena transistor bipolar. En canvi, el FET només es compon de portadors de càrrega majoritaris que participen en la conducció, i és el contrari del transistor bipolar, també conegut com a transistor unipolar. Pertany a dispositius semiconductors controlats per tensió i té els avantatges d'una alta resistència d'entrada (108-109 Ω), baix soroll, baix consum d'energia, gran rang dinàmic, fàcil integració, sense fenòmens de ruptura secundària i àmplia àrea de treball segura. S'ha convertit en un fort competidor dels transistors bipolars i transistors de potència.
Prova de transistors d'efecte de camp
1. Identificació del pin del transistor d'efecte de camp d'unió:
La porta d'un transistor d'efecte de camp és equivalent a la base del transistor, i la font i el drenatge corresponen a l'emissor i al col·lector del transistor, respectivament. Col·loqueu-lo al rang R × 1k i utilitzeu dues sondes per mesurar la resistència directa i inversa entre cada dos pins. Quan les resistències directes i inverses entre dos pins són iguals, ambdues en l'ordre de K Ω, aquestes dues agulles són el drenatge D i la font S (intercanviable), i el pin restant és la porta G. Per a un transistor d'efecte de camp d'unió amb quatre pins, l'altre pol és l'escut (posat a terra durant l'ús).
2. Porta del judici
Toqueu un elèctrode del tub amb la sonda negra del multímetre i els altres dos elèctrodes amb la sonda vermella. Si els valors de la resistència mesurats dues vegades són molt petits, indica que tots dos són resistències directes. Aquest transistor pertany al transistor d'efecte de camp del canal N i la sonda negra també està connectada a la porta.
El procés de fabricació determina que la font i el drenatge del transistor d'efecte de camp són simètrics, intercanviables i no afecten el funcionament normal del circuit, de manera que no cal distingir-los. La resistència entre la font i el drenatge és d'uns milers d'ohms.
Tingueu en compte que aquest mètode no es pot utilitzar per determinar la porta d'un transistor d'efecte de camp de porta aïllada. Com que la resistència d'entrada d'aquest tipus de tub és extremadament alta i la capacitat entre elèctrodes entre la porta i la font és molt petita, una petita quantitat de càrrega pot formar un alt voltatge a la capacitat entre elèctrodes durant la mesura, que pot danyar fàcilment el tub.
