Com utilitzar un multímetre per mesurar un mòdul IGBT?
I. Avaluar la polaritat
Primer, configureu el multímetre a l'engranatge R×1K. Quan es mesura amb el multímetre, si la resistència entre un pol i els altres dos pols és infinita, i la resistència entre aquest pol i els altres dos pols encara és infinita després d'invertir els cables de prova, es considera que aquest pol és la porta (G). A continuació, mesura els dos pols restants amb el multímetre. Si la resistència mesurada és infinita i la resistència és menor després d'invertir els cables de prova. En la mesura amb un valor de resistència més petit, es considera que el pol connectat al cable de prova vermell és el col·lector (C) i el pol connectat al cable de prova negre és l'emissor (E).
II. Avaluar la Qualitat
Configureu el multímetre a l'engranatge R×10K. Connecteu el cable de prova negre al col·lector (C) de l'IGBT i el cable de prova vermell a l'emissor (E) de l'IGBT. En aquest moment, el punter del multímetre es troba a la posició zero. Toqueu la porta (G) i el col·lector (C) simultàniament amb els dits. En aquest moment, l'IGBT s'activa per conduir i el punter del multímetre oscil·la cap a la direcció de la resistència més petita i es pot aturar en una posició determinada. A continuació, toqueu la porta (G) i l'emissor (E) simultàniament amb els dits. En aquest moment, l'IGBT està bloquejat i el punter del multímetre torna a zero. En aquest moment, es pot jutjar que l'IGBT es troba en bon estat.
III. Es pot utilitzar qualsevol multímetre de tipus punter-per detectar l'IGBT
Quan jutgeu la qualitat de l'IGBT, assegureu-vos de configurar el multímetre a l'engranatge R×10K. Com que la tensió interna de la bateria del multímetre als engranatges per sota de R × 1K és massa baixa, l'IGBT no es pot activar durant la detecció de la seva qualitat i és impossible jutjar la qualitat de l'IGBT. Aquest mètode també es pot utilitzar per detectar la qualitat dels transistors d'efecte de camp de potència (P-MOSFET).
Detecció de mòduls IGBT en inversors:
Configureu el multímetre digital a l'engranatge de prova del díode i proveu les característiques del díode directe i invers entre c1 i e1, c2 i e2 del mòdul IGBT, així com entre la porta G i e1, e2 per determinar si el mòdul IGBT està en bon estat.
Preneu un mòdul de sis-fases com a exemple. Traieu els cables de les fases U, V i W del costat de càrrega. Utilitzeu l'equip de prova de díodes. Connecteu el cable de prova vermell a P (col·lector c1) i el cable de prova negre a U, V i W al seu torn. El valor que es mostra al multímetre és el màxim. Invertiu els cables de prova, connecteu el cable de prova negre a P i el cable de prova vermell a U, V i W. El valor que es mostra al multímetre és d'uns 400. A continuació, connecteu el cable de prova vermell a N (emissor e2) i el cable de prova negre a U, V i W. El valor que es mostra al multímetre és d'uns 400. Connecteu el cable de prova negre a P, i el valor de la pantalla i el valor vermell del multímetre a U, V i la mostra del multímetre. el màxim. Les característiques directes i inverses entre cada fase han de ser les mateixes. Si hi ha diferències, indica que el rendiment del mòdul IGBT s'ha deteriorat i s'ha de substituir. Quan el mòdul IGBT està danyat, només es produirà la situació d'avaria i curtcircuit.
Utilitzeu els cables de prova vermell i negre per mesurar les característiques directes i inverses entre la porta G i l'emissor E respectivament. Si els valors mesurats pel multímetre dues vegades són els dos màxims, es pot determinar que la porta del mòdul IGBT és normal. Si es mostra un valor, indica que el rendiment de la porta s'ha deteriorat i s'ha de substituir aquest mòdul. Quan els resultats de les proves directes i inverses són zero, vol dir que la porta de la fase detectada s'ha trencat i curt-. Quan la porta està danyada, el tub regulador de tensió de la placa de circuit que protegeix la porta també es trencarà i es farà malbé.
