Com jutjar la qualitat dels components amb un multímetre
1. Detecció de díodes ordinaris
Mesureu amb un multímetre MF47, connecteu les sondes vermelles i negres als dos extrems del díode, llegiu la lectura i, a continuació, canvieu les sondes per a la mesura. A partir dels resultats de dues mesures, el valor de resistència cap endavant dels díodes de germani de baixa potència sol ser 300-500 ω, mentre que el dels díodes de silici és d’uns 1K ω o superior. La resistència inversa del tub de germani és de diverses desenes de quiloohms i la resistència inversa del tub de silici és superior a 500k ω (el valor del díode d’alta potència és molt menor). Un bon díode té una baixa resistència cap endavant i una alta resistència inversa, i més gran és la diferència de resistència endavant i inversa, millor. Si la resistència cap endavant i inversa mesurada és molt petita i propera a zero, indica que el díode està curtcirit internament; Si la resistència cap endavant i inversa és molt alta o tendeix a l’infinit, indica que hi ha un circuit obert dins del tub. En ambdós casos, cal desballestar el díode.
A les proves de carretera: la prova de la resistència cap endavant i inversa de la unió PN del díode facilita la determinació de si el díode experimenta un curtcircuit o un circuit obert.
2 Detecció de la unió PN
Configureu el multímetre digital al mode díode i mesura la unió PN amb la sonda. Si es realitza en la direcció cap endavant, el número mostrat és la caiguda de tensió endavant de la unió PN. Primer, determinar els elèctrodes col·leccionistes i emissors; Mesureu la caiguda de tensió endavant de dues juntes PN amb una sonda, on l’emissor té una caiguda de tensió més alta i el col·lector té una caiguda de tensió inferior. Quan es prova dues juntes, si la sonda vermella està connectada al pol comú, el transistor provat és de tipus NPN i la sonda vermella està connectada a la base B; Si la sonda negra està connectada al terminal comú, el transistor provat és de tipus PNP i aquest terminal és la base b. Després que el transistor es faci malbé, hi ha dues situacions per a la unió PN: curtcircuit de desglossament i circuit obert.
En proves de circuits: en la prova de circuits d’un transistor s’aconsegueix realment provant la resistència cap endavant i inversa de la unió PN per determinar si el transistor està danyat. La resistència a la branca és superior a la resistència cap endavant de la unió PN. Normalment, hi hauria d’haver una diferència significativa en la resistència cap endavant i inversa mesurada, en cas contrari, la unió PN es danyarà. Quan la resistència de la branca és inferior a la resistència cap endavant de la unió PN, la branca s’ha de desconnectar, en cas contrari, no es pot determinar la qualitat del transistor.
3. Detecció del mòdul del pont de triomfs trifàsics
Prenent com a exemple el mòdul del pont del rectificador de Semikron, tal com es mostra a la figura adjunta. Configureu el multímetre digital al mode de prova del díode, connecteu la sonda negra a COM i la sonda vermella a V ω i utilitzeu les sondes vermelles i negres per mesurar les característiques del díode endavant i inversa entre les fases 3, 4 i 5 i els polonesos 2 i 1, respectivament, per comprovar i determinar si el pont del rectificador està intacte. Com més gran sigui la diferència en les característiques positives i negatives mesurades, millor; Si les direccions cap endavant i inversa són zero, indica que la fase detectada s'ha desglossat i curtcircuit; Si tant les direccions cap endavant com les inverses són infinites, indica que la fase detectada s'ha desconnectat. Si una fase del mòdul del pont rectificador està danyada, s'hauria de substituir.
4. Detecció del mòdul IGBT inversor
Configureu el multímetre digital al mode de prova del díode i proveu les característiques del díode endavant i inversa entre els mòduls IGBT C1. E1 i C2. E2, així com entre la porta G i E1, E2, per determinar si el mòdul IGBT està intacte.
