Consells per mesurar semiconductors amb un multímetre digital
tub de díode
La tensió de circuit obert del rang de díodes d'un multímetre digital és d'uns 2,8 V, amb la sonda vermella connectada al terminal positiu i la sonda negra connectada al terminal negatiu. El corrent proporcionat durant la mesura és d'aproximadament 1 mA i el valor que es mostra és la caiguda de tensió directa aproximada del díode, mesurada en mV o V. La caiguda de tensió directa d'un díode de silici és d'uns 0,3 ~ 0,8 V. La caiguda de tensió directa d'un díode de germani és d'uns 0,1 ~ 0,3 V. A més, la caiguda de tensió directa d'un díode amb més potència és menor. Si el valor mesurat és inferior a 0,1 V, indica que el díode s'ha trencat i que les direccions directes i inverses estan conduint en aquest moment. Si les direccions directes i inverses estan obertes, indica que el node PN del díode està obert. Per als díodes-emissors de llum, quan es mesura en la direcció cap endavant, el díode emet llum amb una caiguda de tensió d'uns 1,7 V.
transistor
Un transistor té dos nodes PN, el node emissor (be) i el node col·lector (bc), que es poden mesurar mitjançant el mètode de mesura dels díodes. En la mesura real, la caiguda de tensió directa i inversa s'ha de mesurar entre cada dos pins, un total de 6 vegades. Entre ells, 4 vegades mostren un circuit obert i només 2 vegades mostren el valor de la caiguda de tensió. En cas contrari, el transistor està trencat o un transistor especial (com un transistor resistiu, un transistor Darlington, etc., que es pot distingir d'un transistor comú per model). En dues mesures amb valors numèrics, si la sonda negra o vermella està connectada al mateix pol, aquest pol és la base, el valor de mesura més petit és el node col·lector i el valor de mesura més gran és el node emissor. Com que s'ha identificat la base, el col·lector i l'emissor es poden determinar en conseqüència. Al mateix temps, es pot determinar que si la sonda negra està connectada al mateix pol, el transistor és de tipus PNP, i si la sonda vermella està connectada al mateix pol, el transistor és de tipus NPN; Els tubs de silici tenen una caiguda de tensió d'uns 0,6 V, mentre que els tubs de germani tenen una caiguda de tensió d'uns 0,2 V.
Silici controlable:
L'ànode, el càtode i l'elèctrode de control del tiristor són circuits oberts, que es poden utilitzar per determinar el pin de l'ànode i determinar si el tiristor s'ha trencat. També hi ha un node PN entre l'elèctrode de control del tiristor i el càtode, però hi ha una resistència protectora entre l'elèctrode de control del tiristor d'alta potència -i el càtode, i el valor que es mostra durant la mesura és la caiguda de tensió a través de la resistència.
