Com utilitzar un multímetre punter per determinar la polaritat d’un transistor
① Per distingir la base B, configureu el multímetre del punter a la posició 1K, connecteu la sonda negra a qualsevol passador del transistor i la sonda vermella als altres dos pins per mesurar els valors de resistència cap endavant i inversa del transistor fins que els dos valors de resistència mesurats siguin alts (si un valor de resistència és alt i l’altre és baix durant la mesura, la sonda negra cal que es canviï a un altre elèctrode abans de la mesura). En aquest punt, l’elèctrode connectat a la sonda negra és la base B del transistor. I el transistor provat és un transistor PNP. Si els valors de resistència dels dos elèctrodes que es mesuren són molt petits en aquest moment, la base B del transistor connectada a la sonda negra és un transistor NPN, i el transistor que es mesura és un transistor NPN.
② Discriminació entre el col·leccionista C i l’emissor E; Per al material de germani PNP i NPN transistor, el mètode anterior es pot utilitzar per determinar primer la base B del transistor, després col·locar el multímetre punter en la posició R * 1K, mesurar els valors de resistència dels dos elèctrodes restants i canviar les dues sondes. En la mesura amb un valor de resistència menor, si el transistor provat és de tipus PNP, l’elèctrode connectat a la sonda vermella és col·leccionista C, i l’elèctrode connectat a la sonda negra és emissor e. Si el transistor provat és un transistor NPN, l’elèctrode connectat a la sonda vermella és l’emissor E, i l’elèctrode connectat a la sonda negra és el col·lector c.
Per al transistor de materials de tipus NPN, es pot connectar una resistència de 100k Ω entre la base B i el col·lector c. Segons el mètode de mesura anterior, es pot mesurar el valor de resistència entre els dos elèctrodes, tret de la base B. El valor de resistència menor es mesura amb la sonda negra connectada al col·lector C del transistor i a la sonda vermella connectada a l’emissor e.
Coneixent els tres pols d’un transistor, hi ha una manera convenient d’estimar prèviament la seva capacitat d’amplificació.
Per a transistor de tipus NPN fet de material de silici; Configureu el multímetre a la posició RX1K, amb la sonda vermella connectada al col·leccionista C i la sonda negra connectada a l'emissor E. Si la base està buida, mantingueu el col·leccionista C del transistor amb una mà. El cos humà és com una resistència de biaix base i utilitzeu la llengua per llepar la base del transistor. En aquest punt, el punter del multímetre tipus punter canviarà immediatament d’un valor d’alta resistència a un valor de baixa resistència (és a dir, valor de resistència del swing). Aquest mètode pot estar una mica obsolet, però és molt adequat. Els amics interessats ho poden provar.
