Com resoldre el problema de canviar les PSU que emeten radiació excessiva
Commutant la tensió d'alimentació, la taxa de canvi de corrent és molt alta, donant lloc a una major intensitat d'interferència; Les fonts d'interferència es concentren principalment en el període de commutació d'alimentació, així com connectades al dissipador de calor i al transformador d'alt nivell, a diferència de la ubicació de la font d'interferència del circuit digital és més clara; La freqüència de commutació no és alta (des de desenes de kilohertz i uns quants megahertz), la principal forma d'interferència és la conducció d'interferències i interferències de camp proper.
Els punts de freqüència individuals específics sobre la solució són els següents:
Dins d'1MHz:
La interferència en mode diferencial és la principal 1. Augmenta la capacitat X; 2. Afegiu inductància en mode diferencial; 3. Es pot utilitzar una font d'alimentació petita amb un processament de filtre de tipus PI (es recomana que els condensadors electrolítics propers al transformador es puguin seleccionar més grans).
1 M-5MHz:
Mescla de mode comú en mode diferencial, utilitzant l'entrada i una sèrie de condensadors X per filtrar la interferència tàctil diferencial i analitzar quin tipus d'interferència supera l'estàndard i resoldre'l;
5 MHz:
Per sobre de la interferència tàctil comú és principalment, utilitzant el mètode de supressió del tacte comú. Per a la carcassa posada a terra, a la línia de terra amb un anell magnètic al voltant de 2 cercles hi haurà més de 10MHZ d'interferència té una atenuació més gran (diudiu2006); per a 25 - 30MHZ, però es pot utilitzar per augmentar la capacitat Y a terra, al transformador fora del pa de coure, canvieu el PCBLAYOUT, la línia de sortida davant de la connexió d'un cable de dos fils i bobinatge d'un petit anell magnètic, un mínim de 10 voltes al voltant dels extrems del tub rectificador de sortida i del filtre RC.
1 M-5MHZ:
Mescla de mode comú en mode diferencial, utilitzant el costat d'entrada en paral·lel amb una sèrie de condensadors X per filtrar la interferència diferencial i analitzar quina interferència supera l'estàndard i per resoldre el problema, 1. Per a la interferència en mode diferencial es pot superar l'estàndard. ajustat a la capacitat X, afegir inductors de mode diferencial, inductància de mode diferencial; 2. Per a que la interferència en mode comú superi l'estàndard es pot afegir a la inductància en mode comú, l'elecció d'una quantitat raonable d'inductància per inhibir; 3. Podeu canviar les característiques del díode rectificador per fer front a un parell de díodes ràpids, com ara FR107 un parell de díodes rectificadors ordinaris 1N4007.
Per sobre de 5 MHz:
La interferència del tacte comú és la principal i s'utilitza el mètode de supressió del tacte comú.
Per a la carcassa posada a terra, a la línia de terra amb una cadena d'anell magnètic al voltant de 2-3 girs hi haurà més de 10 MHz d'interferència té un efecte d'atenuació més gran; pot optar per enganxar làmina de coure immediatament després del nucli del transformador, bucle tancat de làmina de coure. Tracteu el circuit d'absorció del rectificador de sortida posterior i la mida de la capacitat de derivació del circuit gran primari.
Per a 20 M-30MHz:
1. Per a una classe de productes es pot utilitzar per ajustar la capacitat Y2 a terra o canviar la posició del condensador Y2;
2. Ajusteu la posició de la capacitat de Y1 i el valor del paràmetre entre els costats primari i secundari;
3. Emboliqui paper de coure a l'exterior del transformador; afegir una capa de blindatge a la capa més interna del transformador; ajustar la disposició dels bobinatges del transformador.
4. Canvieu el disseny del PCB;
5. Davant de la línia de sortida, connecteu un petit inductor de mode comú amb dos cables enrotllats en paral·lel;
6. Rectificador de sortida en paral·lel amb els dos extrems del filtre RC i ajustar els paràmetres raonables;
7. Afegiu BEADCORE entre el transformador i el MOSFET;
8. Afegiu un petit condensador al pin de tensió d'entrada del transformador.
9. Es pot utilitzar per augmentar la resistència de la unitat MOS.
