Com jutjar la polaritat d'un triode amb un multímetre punter
①Discriminació de la base b, el dial del multímetre del punter al bloc 1K, l'accés del llapis negre a qualsevol dels peus del transistor de cristall, el llapis vermell havia de contactar amb els altres dos peus, mesurar el valor de la resistència positiva i negativa del transistor, fins que hi hagi dos el valor de resistència mesurat és molt gran (si la mesura d'un valor de resistència és molt gran, l'altre valor de resistència del fenomen és molt petit, en aquest moment cal tornar a canviar el llapis negre a un elèctrode), aleshores l'accés al llapis negre a l'elèctrode hi ha la base del triode b. I el triode de cristall provat és un triode de cristall de tipus PNP. Mesura), l'accés del bolígraf negre a l'elèctrode és la base del transistor b. I el transistor de cristall mesurat per al transistor de cristall tipus PNP. En aquest moment, si el valor de resistència dels dos elèctrodes és molt petit, el bolígraf negre està connectat a la base del transistor b i el triode de cristall mesurat és un triode de cristall de tipus NPN.
② discriminació col·lector c i emissor e; per als transistors de cristall de tipus PNP i NPN de material de germani, podeu utilitzar el mètode anterior per determinar la base del transistor b i, a continuació, el multímetre de punter col·locat a l'engranatge R * 1K, mesurant la resistència dels dos elèctrodes restants, les dues plomes contra l'ajust del valor de resistència de la mesura més petita, si el transistor mesurat de tipus PNP, llavors l'elèctrode al qual accedeix el llapis vermell és el col·lector Si el transistor mesurat és el transistor de tipus NPN, l'elèctrode al qual accedeix el llapis vermell és l'emissor e, l'elèctrode al qual accedeix el llapis negre és el col·lector c. Per al transistor de cristall de silici de tipus NPN, l'elèctrode al qual accedeix el llapis vermell és l'emissor e, l'elèctrode al qual accedeix el llapis negre és el col·lector c.
Per al transistor de cristall de silici de tipus NPN, la base b i el col·lector c accedeixen a una resistència de 100KΩ, segons les mesures anteriors, a més de la base b a més de la mesura de la resistència entre els dos elèctrodes, on el valor de resistència de una mesura més petita, el llapis negre accedeix al col·lector del transistor c, l'elèctrode al qual accedeix el llapis vermell és l'emissor e.
Coneix els tres pols del triode de cristall, aquesta vegada amb una manera molt convenient d'estimar inicialment la capacitat d'amplificació del triode de cristall.
Per a material de silici transistor de cristall tipus NPN; el dial d'engranatge del multímetre a la posició Rx1K, el llapis vermell al col·lector c, el llapis negre a l'emissor e, la base està desocupada, aquesta vegada una mà pessiga el col·lector del transistor c, el cos humà és equivalent a un biaix base resistència, llepar la base del transistor amb la punta de la llengua, en aquest moment el punter del punter del multímetre, serà de la resistència de la caixa de gran valor! En aquest moment, l'agulla del multímetre punter canviarà d'un valor de resistència gran a un valor de resistència molt petit (és a dir, un valor de resistència oscil·lant). Aquest mètode és una mica de terra, però és molt aplicable.
