Aplicació del microscopi d'infrarojos en microdispositius en la indústria electrònica
1. Direcció de l'aplicació: el paper del microscopi infrarojo en les proves de temperatura de petits dispositius semiconductors
2. Introducció de fons:
Amb el desenvolupament de la nanotecnologia, el seu mètode de miniaturització de dalt a baix s'ha aplicat cada cop més en el camp de la tecnologia de semiconductors. Abans anomenàvem tecnologia de "microelectrònica" a la tecnologia IC, perquè la mida dels transistors és a nivell de micres (10-6 metre). Tanmateix, la tecnologia dels semiconductors s'està desenvolupant molt ràpidament. Cada dos anys es millorarà una generació i la mida es reduirà a la meitat de la mida original. Aquesta és la famosa llei de Moore. Fa uns 15 anys, els semiconductors van començar a entrar en l'era submicrònica, que és més petita que l'era micrònica, i després es va aprofundir en l'era submicrònica, que era molt més petita que l'era micrònica. El 2001, els transistors eren fins i tot més petits que 0,1 micres o 100 nanòmetres. Per tant, és l'era de la nanoelectrònica i la majoria dels futurs IC estaran fets de nanotecnologia.
3. Requisits tècnics:
Actualment, el principal mode de fallada dels dispositius electrònics és la fallada tèrmica. Segons les estadístiques, el 55 per cent de les fallades dels dispositius electrònics són causades per la temperatura que supera el valor especificat. A mesura que augmenta la temperatura, la taxa de fallades dels dispositius electrònics augmenta de manera exponencial. En termes generals, la fiabilitat de funcionament dels components electrònics és extremadament sensible a la temperatura i la fiabilitat baixarà un 5 per cent cada vegada que la temperatura del dispositiu augmenta 1 grau al nivell de 70-80 graus. Per tant, cal detectar la temperatura del dispositiu de manera ràpida i fiable. A mesura que la mida dels dispositius semiconductors es fa cada cop més petita, es fan requisits més alts en la resolució de temperatura i la resolució espacial dels equips de detecció.
4. Mapa de calor de rodatge in situ
